Samsung prioriza DDR5 por altos márgenes
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Highlights
– Samsung traslada 80.000 obleas mensuales de HBM a DDR5.
– Márgenes del 75% impulsan el giro hacia módulos RDIMM.
– Competencia en HBM3/E y transición hacia HBM4 aceleran el cambio.
Samsung ha iniciado un cambio estratégico dentro de su línea de producción de DRAM: reducir el volumen de módulos HBM3/E destinados a GPU de inteligencia artificial y priorizar módulos DDR5 RDIMM, significativamente más rentables en el mercado actual. Este movimiento, revelado por fuentes de DigiTimes y analistas del sector, responde a una combinación de factores: competencia feroz en el segmento HBM, márgenes decrecientes y precios de DDR5 que continúan en ascenso.
Un giro obligado por la competencia en HBM
Durante los últimos dos años, Samsung ha enfrentado una presión creciente por parte de SK hynix —líder absoluto en HBM— y Micron. Aunque la compañía superó las certificaciones estrictas de NVIDIA para sus HBM3E, no logró asegurar una posición dominante. La estrategia de abaratar su HBM para ganar cuota de mercado redujo sus márgenes de manera considerable: según informes, Samsung obtiene 30% menos beneficios por unidad frente a SK hynix y podría aplicar una reducción adicional del 30% en 2026.
En contraste, el precio mayorista de un módulo RDIMM de 64 GB ronda los 450 USD, con márgenes superiores al 75%. Con el mercado spot disparándose hasta los 780 USD por módulo, la compañía se encuentra ante una oportunidad difícil de ignorar: producir DDR5 deja más ganancias que competir a la baja en HBM3/E.
La reconfiguración de recursos productivos
La decisión implica trasladar aproximadamente 80.000 obleas mensuales desde la fabricación de HBM hacia la de memoria DDR5, LPDDR y GDDR. Técnicamente, el cambio también deriva en un salto hacia nodos más avanzados: Samsung reducirá el uso de su proceso interno 1a DRAM para priorizar nodos 1b y 1c, con este último como enfoque central.
Este reajuste permitirá aumentar la oferta de DRAM generalista justo en un momento en el que los precios globales se encuentran en máximos históricos. La RAM DDR5 ha experimentado incrementos agresivos desde mediados de 2025, impulsados por la demanda de centros de datos, servidores de IA y fabricantes de hardware. Para Samsung, potenciar su catálogo en este sector ofrece una vía clara de recuperación financiera y ventaja competitiva.
Preparando el terreno para la siguiente generación
Aunque reduce su producción de HBM3/E, Samsung no abandona las memorias de alto ancho de banda. La compañía concentrará sus esfuerzos en la próxima generación HBM4, donde proyecta una posición más sólida que en el ciclo actual. Los anuncios recientes apuntan a módulos HBM4 de 36 GB, además de acuerdos estratégicos con NVIDIA para su adopción en hardware futuro.
En paralelo, Samsung avanza en líneas clave para el sector móvil y gráfico: LPDDR6, LPDDR5X y GDDR7, además de módulos DDR5 superiores a 128 GB destinados a entornos de trabajo intensivos. La liberación de capacidad industrial permitirá acelerar estos desarrollos a partir de 2026.
Impacto en la industria y en la disponibilidad del mercado
La retirada parcial de Samsung del segmento HBM3/E beneficia de forma directa a SK hynix y Micron, que reforzarán su liderazgo en memorias para IA. Sin embargo, la expansión de DDR5 podría aliviar parte de la presión sobre el mercado de DRAM convencional, aunque los analistas advierten que la escasez no se resolverá por completo. La demanda vinculada a IA continúa elevándose y podría sostener precios altos hasta 2028.
Para consumidores y empresas, este reajuste significa un aumento progresivo de disponibilidad de módulos DDR5 y un probable incremento en la variedad de configuraciones. No obstante, los costos seguirán marcados por un contexto global de alta demanda y capacidad limitada.
Un movimiento estratégico con miras a 2026
En suma, Samsung está reposicionando su producción para maximizar beneficios inmediatos y prepararse para un futuro en el que DDR5, GDDR7 y HBM4 serán piezas centrales del ecosistema tecnológico. La compañía, presionada por rivales más fuertes en HBM3/E, encontró en la memoria DDR5 un refugio comercial con márgenes amplios y crecimiento sostenido. Este giro podría redefinir las prioridades de la industria DRAM en 2026 y adelantar un ciclo donde la memoria vuelve a ser el componente más volátil —y más rentable— del hardware moderno.
